GaSe （2H相）是一种间接带隙为～2.1 eV的半导体。GaSe已被用作半导体、光导体、非线性光学中的二次谐波产生晶体和远红外转换材料。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。GaSe属于13族过渡后金属单硫族化合物。硒化镓的2H相具有典型的横向尺寸为～0.6 ～ 0.8 cm，具有深铜金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:0.6 ～ 0.8 cm

颜色: 棕色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°

Type：Synthetic

应用领域

在光电领域：

太阳能电池：硒化镓晶体具有合适的能带结构和较高的光吸收系数，可用于制造高效的太阳能电池。例如，在多结太阳能电池中，硒化镓可以作为其中的一个子电池，吸收特定波长的太阳光，从而提高整个电池的光电转换效率。

光电探测器：能够对特定波长的光产生响应，可用于制造高性能的光电探测器。比如在红外光电探测器中，硒化镓晶体可以检测到红外光信号，并将其转换为电信号。

在半导体领域：

半导体器件：可用于制造各种半导体器件，如晶体管、场效应管等。例如，在高频和高速电子器件中，硒化镓晶体的优良电学性能有助于提高器件的工作频率和速度。

在光学领域：

非线性光学材料：具有非线性光学特性，可用于制作倍频器、光调制器等非线性光学器件。比如在激光系统中，硒化镓晶体可以实现激光频率的倍频。

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