本品为加有HF且HF活度稳定的性能改进的缓冲剂，用于平面钝化、制作晶体管、集成电路、二极管、检波器、SCR、MOS、FET的半导体技术中选择溶解SiO2。

独特的优点

·经济便宜，使用方便

·HF活度稳定

·良好的工艺重复性

·不会出现边下蚀被掩蔽的氧化物

·不扩散硅表面着色

·硅表面不污染

·光刻胶涂层不受影响

说明

缓冲剂－HF是一个理想的缓冲剂配方，其特点是缓冲指数高和蚀刻速率均匀合适。缓冲剂－HF的组成可通过HF活度和PH的测量得到精密控制。质量平衡对应于两配体单核络合物的HF+(F)+2(HF2)，而变化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通过其特定平衡常数保持恒定不变，这便决定了氟化物、二氟化物和HF诸组分间的平衡反应。而第二平衡常数参与氢离子浓度的浓度调节。

缓冲剂－HF制备并经分析确定已基本完全去除了任何杂质。硝酸根离子是引起扩散硅表面着色的最常见的杂质，在这种缓冲剂中已特别加以排除。能引起装置质量降低的重金属杂质在生产过程中得到了严格控制。

缓冲剂-HF的性质

*蚀刻速率根据氧化硅膜结构而改变

缓冲剂－HF的使用

缓冲剂－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷术中暴光的二氧化硅膜（热生长和硅烷SiO2）。它还能溶解半导体加工过程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的掺杂二氧化硅膜，总化学反应式为：4HF+SiO2 → SiF4+2H2O  建议在制作半导体平面和台面型二极管装置的新技术中使用缓冲剂－HF，操作安全无误，它与阴，阳性光刻胶都相匹配。易于得到重现性良好的结果，不会出现边下蚀被掩蔽的氧化物、表面着色和重金属造成质量降级等现象。

指导意见

大多数实际氧化物钝化层厚度范围是2000 Å到5000 Å，将其在室温下于缓冲剂－HF液中浸泡2-5分钟都会得到良好的结果，必要时接触时间可适当增减。操作完毕，应当用去离子水将缓冲剂-HF冲洗掉。缓冲剂-HF的缓冲指数高，因此在固定接触时间条件下反复使用。为了增快蚀刻速率（约2X），可以在35℃的温度使用缓冲剂-HF。