| PECVD系统 |
| PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。 |
| 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。 |
| 本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。 |
主要特点：
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。 |
| 系统选型 |
| 项 目 | 推荐选型 |
| 管式加热炉体 | |
| 石英反应腔室 | 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。 |
| 真空系统 | 根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa)，GZK10-3(极限真空0.001Pa)，以及进口高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。 |
| 质子流量供气系统 | 根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。 |
| 射频等离子源 | 根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W)，DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择。 |
| 常见PECVD系统组合 | 1. 1200度60滑轨式微型管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，300W射频电源 |
| MXG1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 |
| 2. 1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
| MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
| 3. 1200度60双温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
| MXG1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
| 4. 1200度60三温区滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
| MXG1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
| 5. 1200度60微型预热炉，1200度60滑轨式管式炉，低真空系统，四路质子流量供气系统，500W射频电源 |
| MXG1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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