悬浮区熔炉
 产品介绍
详细描述 区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。 区熔法分为两种：水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs等材料的提纯和单晶生长。后者主要用于硅，这是由于硅的熔点高，化学性能活泼， 容易受到异物的玷污，难以找到适合的舟皿，不能采用水平区熔法。 如果需要生长极高纯度的硅单晶，其技术选择首先是悬浮区熔提炼，其次是直拉法。区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱线圈内部的部分熔化，线圈移过后，熔料再结晶为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内。 采用悬浮区熔法生长硅单晶时，熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间，故称为悬浮区熔法。由于在熔化和生长硅单晶过程中，不使用石英坩埚等容器，故又称为无坩埚区熔法。因为硅熔体密度小（2.3 g/cm）并有一定的表面张力，加上高频电磁场的托浮作用，所以熔区易保持稳定。 悬浮区熔法除了可用于上述的单晶硅制备外，还可用于提纯多晶硅。后者主要是利用硅中杂质的分凝效应和蒸发效应，获得高纯多晶硅。区熔可在保护气氛（氩、氢）中进行，也可在真空中进行，且可反复提纯（尤其在真空中蒸发速度更快），特别适用于制备高阻硅单晶和探测器级高纯硅单晶。此外，区熔法是检验多晶硅的纯度的手段之一。 区域的温度应略高于材料的熔点。在材料棒自上而下的移动过程中，被加热部分经历了熔化和结晶的过程，最终形成了一个单晶棒。在整个过程中，材料棒是架空的，不与任何容器接触，避免了坩祸对材料的污染，可以用于制备高纯度的晶体。这种方法特别适合于制备高熔点金属或氧化物的单晶体。在用于提纯时，常将上述过程重复数次，由于不同温度下，杂质在固体中的溶解度不同，可以使固体中的杂质汇集在棒的一端。
标准配置 供货范围:
用户评论 产品评分 目前评分共0人 产品质量
售后服务
易用性
性价比
|
同品牌产品：
相关产品：
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
m.cnreagent.com
