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HQ 3R相二硫化钼晶体,~6-8 mm
HQ 3R相二硫化钼晶体,~6-8 mm图片
产品介绍

二硫化钼(3R相)是一种带隙可调的半导体,体带隙为0.80 (0.86)eV,单层带隙为1.81 (1.66)eV。该晶体是自然形成的,具有良好的热力学稳定性。3R相的二硫化钼用于光子学、光电子学和催化等领域,这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二硫族化合物(TMDC)。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:~6-8 mm

产品特点

Electrical properties:Semiconductor

Crystal structure:Trigonal

Type:Natural

Purity:>99.995%

应用领域

电子器件:3R-MoS2具有半导体特性,其电导率受温度、掺杂和缺陷等多种因素影响。这使得它在电子器件的制备中具有潜在的应用价值。例如,可以制备出具有特定功能的电子器件,如场效应晶体管(FETs)、光电探测器等。

光催化:

其光催化性能也使其在光催化领域具有应用潜力,可用于环境净化、水处理等方面。

太阳能电池:

理论上利用3R-MoS2的光吸收特性,可以开发高效、低成本的太阳能电池,提高太阳能的转换效率。

催化剂:

3R-MoS2具有良好的化学稳定性和热稳定性,在高温、高压或腐蚀性环境中仍能保持良好的性能。因此,它被广泛用作催化剂的组成部分,用于促进各种化学反应的进行。

润滑剂:

二硫化钼(包括3R相)因其层状结构而具有较低的摩擦系数,被广泛应用于固体润滑领域。通过添加3R-MoS2作为润滑剂成分,可以显著改善机械设备的摩擦性能,延长使用寿命。

防腐涂层:

3R-MoS2的耐腐蚀性也使其成为一种理想的防腐涂层材料,可用于保护金属表面免受腐蚀和磨损。

其他信息

订货信息

产品编号包装纯度规格
VBG-XF3471盒99.995%
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