Purity:>99.995%
产品介绍 ReS2是一种~1.35 eV的直接带隙半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。二硫化铼属于第七族过渡金属二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯生产的ReS2晶体通常看起来像一朵花,横向大小为~-0.8厘米,其中多个单晶类似花瓣,外观为深色金属。我们制备的n型ReS2在室温下具有典型的载流子密度~1017cm-3。 技术参数 纯度: 99.995% 尺寸:~8 mm 颜色: 银黑色 产品特点 Electrical properties:Semiconductor, n-type Crystal structure:Triclinic Type:Synthetic 应用领域 在电子学领域: 场效应晶体管(FET):硒化铟晶体由于其独特的电学特性,如高载流子迁移率,可用于制造高性能的场效应晶体管。例如,在柔性电子设备中,基于硒化铟晶体的 FET 能够实现高效的信号传输和处理。 存储器:其电阻可在不同条件下发生变化,这使得它有望应用于非易失性存储器,如阻变存储器(RRAM)。比如,在一些高密度存储芯片中,硒化铟晶体可以作为存储单元,实现快速的数据读写和长期的数据保存。 在光电领域: 光电探测器:对光具有较好的响应,可用于制造高性能的光电探测器。例如,在红外光探测中,硒化铟晶体能够将光信号转换为电信号,应用于安防监控系统或通信系统。 太阳能电池:作为太阳能电池的吸收层材料,能够有效地吸收太阳光并转化为电能。比如,在新型薄膜太阳能电池中,硒化铟晶体可以提高电池的光电转换效率。 在传感器领域: 气体传感器:对某些特定气体具有敏感性,可用于制造气体传感器来检测环境中的有害气体。例如,检测一氧化碳、氨气等气体的浓度变化。 在纳米技术领域: 纳米器件:由于其在纳米尺度下的特殊性质,可用于构建纳米级别的电子和光电子器件。比如,利用硒化铟晶体制造纳米级的场效应晶体管,实现更小尺寸和更高性能的纳米电路。 其他信息
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