该设备可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，特别适合于半导体、新能源、磁性材料、储氢材料、二维材料、超硬薄膜、固体润滑薄膜、 自洁净薄膜、等领域前沿研究，同时具备磁控溅射、离子注入和磁过滤电弧沉积功能，能够开展多方向微纳器件研发。

1. 全框架结构，机柜和主机为分体结构，骨架默认为白色，门板为白色，四只脚轮，可固定，可移动。腔体尺寸：φ700、φ600（可按需定制大小）。

2. 极限真空度：优于≤8.0×10-5Pa。

3. 真空配置：前级泵2台+超高分子泵2台。

4. 真空测量。测量范围：105~10-5Pa。

5. 工件盘系统：具有自转和公转功能，加热温度≤800℃。

6. 沉积阴极：配置4只4英寸溅射阴极，弧源1套。

7. 充气系统：配置二路供气。

8. 操作系统及安全监控：人机界面+PLC控制。