U-III表面粒子计数器：突破0.1微米检测极限，重新定义半导体洁净度标准。

核心技术创新

纳米级检测能力

U-III搭载HeNe激光传感器，分辨率达0.1微米，支持0.1-5.0微米颗粒粒径的六通道分类统计（0.1/0.2/0.3/1.0/3.0/5.0μm），覆盖半导体制造中对超细微粒的严苛检测需求。

静态采样模式：通过优化气流控制，减少测量误差，提升数据稳定性。

智能化设计与操作体验

7英寸高分辨率触控屏：支持实时数据可视化与交互操作，简化流程。

双电池热插拔系统‌：支持连续生产场景下的不间断作业，电池更换无需停机。

USB数据接口与软件升级‌：便捷导出检测报告，并可通过固件更新持续优化性能。

行业应用与效益

提升制造效率

减少50%自净时间‌：通过量化表面污染数据，缩短设备维护周期（PM周期），提升产线吞吐量。

延长MTBC（平均无故障周期）：结合颗粒控制策略，关键设备可靠性提升4倍以上。

覆盖高洁净场景

半导体制造：晶圆表面、机台内腔等关键区域的洁净度验证。

精密光学与电子：液晶面板、光学镜片组件、医疗器械的表面污染控制。

符合国际标准

产品严格遵循ISO-14644-9表面粒子控制规范，为全球半导体厂商提供标准化检测工具

该系列设备通过量化表面污染数据，为半导体制造中的过程控制提供标准化依据，从而优化生产良率和产品可靠性。 传感器：第七代双激光窄光检测器，寿命>200000次 粒径分布误差：≤±30% 浓度示值误差：≤±30 重复相对偏差：≤±10%FS 重叠误差：当每立方英尺2,000,000个粒子时小于5% 气体检测：可同时检测气体浓度，支持1-3个各种类型的气体传感器 温度范围：-40 ～ 120℃ 检定标准：计数报告符合GB/T16292-1996及ISO14644-1标准或GB/T6167-2007 JJF1190-2008 气泵流速：2.83L/min，28.3L/min（可选）； 采样时间：3、6、9、12、15、30、60秒（可选）； 检测模式：数量模式；质量模式； 净效模式；三种检测模式可切换 检测方式：定时检测、循环检测可设置      报警方式：自定义数量报警值、质量报警值 限值报警：RS485信号报警或外接声光报警器 法 规 性：权限管控、审计追踪、电子记录等 合 规 性：符合ISO 21501-4，CE，JIS B9921 合 规 性：符合21 CFR Part 11 通讯接口：RS232、R485、LAN-USB