SAT100等离子去胶机（Plasma）是一种利用高频电源在真空腔体内激发工艺气体产生高活性等离子体的干法工艺设备。等离子体通过物理轰击与化学反应，高效、均匀地去除基片表面的光刻胶、有机物及微颗粒污染物。该技术清洁无残留、损伤低，是半导体制造、先进封装及微纳加工中图形化和表面清洁的关键设备。

主要特点：  

1.实时检测和显示真空度,使得机器在智能控制下有了可靠的依据.  

2.真空值可自由设定,(范围:10—60帕)为外加气体提供了可靠的辉光启动环境,为辉光纯度提供了有利的保障,保证了实验效果的准确性和可靠性.  

3.真空腔体采用铰链侧开门结构，带有观察窗，材料为6061材质.  

4.真空腔体、管路、阀体全部为不锈钢材料.  

5.电容式（CCP）激发,实验效果稳定,均匀可靠,电极板置于样品仓内顶部悬挂.  

6.薄膜按键+液晶屏显示控制,手动自动两种模式任意切换.  

7.程序化设计，预先编辑好程序，仪器自动完成实验.  

8.利用气体电离后产生的等离子体的反应活性与材料表面发生的物理或者化学反应，使材料表面成分、组成和结构发生变化，并能得到某些特定的基团。  

9.无需任何耗材，使用成本低，无需特殊进行维护，在日常使用中保持仪器清洁即可。  

技术规格参数：

工艺流程：

1.装片：将完成光刻工艺（曝光、显影）后、需要去掉抗蚀层的基片放入反应腔内的卡盘上。  

2.抽真空：抽走空气，达到所需的起始真空度。  

3.通反应气体：通入设定流量比例的气体。  

4.施加射频功率：启动射频源，击穿气体产生辉光放电，形成等离子体。  

5.去胶反应：在设定好的压力、功率、温度下，等离子体与抗蚀层发生反应，生成挥发性气体并被抽走。时间从几秒到几分钟不等。  

6.过程终点检测：可通过光学或时间模式判断胶是否完全去除。  

7.停功率与排气：关闭射频源，停止供气，用惰性气体冲洗腔体，去除残留反应物。  

8.破空与取片：腔体恢复常压，取出基片。  

主要应用：  

1.光刻后去胶：去除光刻显影后、离子注入/刻蚀/金属沉积等工序完成后的光刻胶掩模。这是最核心应用。  

2.聚合物残留去除：去除其他工序后残留的微量有机污染物。  

3.表面活化/清洗：提高金属、塑料、陶瓷等材料表面的亲水性。  

4.表面改性：改变材料表面化学性质。  

5.MEMS和封装：用于MEMS结构释放、去除牺牲层、封装前清洗等。  

6.研究开发：实验室用于表面处理研究。